Цели и задачи дисциплины
Целью дисциплины является получение углубленного профессионального образования по технологии электронной компонентной базы, позволяющего выпускнику обладать предметно-специализированными компетенциями, способствующими востребованности на рынке труда, обеспечивающего возможность быстрого и самостоятельного приобретения новых знаний, необходимых для адаптации и успешной профессиональной деятельности в области микро- и наноэлектроники.
Краткое содержание дисциплины
Технологические процессы создания полупроводниковых приборов и ИС. Материалы полупроводниковой электроники
Общая характеристика процесса создания полупроводниковых приборов и ИС. Особенности электронного производства. Технологические процессы создания полупроводниковых приборов и ИС. Материалы полупроводниковой электроники
Общая характеристика процесса создания полупроводниковых приборов и ИС. Особенности электронного производства.
Формирование кремниевых пластин.Эпитаксиальные структуры. Эпитаксиальный рост.
Диэлектрические слои
Литографические процессы.Химическое травление кремния. Термическая диффузия
Химическое травление кремния. Полирующее и селективное травление.
Ионная имплантация.Металлизация. Назначение. Требования к металлическим пленкам. Алюминиевая металлизация. Достоинства и недостатки.
Недостатки термической диффузии. Ионная имплантация. Физические основы процесса. Перспективные технологии микро – и наноэлектроники
Перспективные технологические методы в производстве ИС. Модульный принцип. Методы технологического контроля. Резервные элементы. Сухие методы обработки в технологии электроники. Методы плазмохимического травления. Ионное травление. Ионно-химическое травление. Газовое травление. Тенденции развития технологических процессов микро - и наноэлектроники.
Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины
ОПК-4
Способен понимать принципы работы современных информационных технологий и использовать их для решения задач профессиональной деятельности